Кинетика изменения концентрации пар Френкеля в полупроводниках при низкотемпературном облучении и ионизационном отжиге

Получены решения систем уравнений, описывающих: 1)  процессы генерации и одновременного ионизационного отжига пар Френкеля в полупроводниках при облучении их электронами или гамма-лучами; 2)  процесс ионизационного отжига заранее созданных пар Френкеля. На основе полученных результатов проведен анализ экспериментальных данных, полученных при низкотемпературном облучении германия гамма-лучами $^{60}$Со и электронами с энергией ${\sim1}$ МэВ.
Сделаны заключения о виде функции распределения генетически связанных пар Френкеля по расстояниям между их компонентами. Предложено объяснение некоторых известных, но непонятых фактов.