RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 7, страницы 1269–1272 (Mi phts1308)

Фотостимулированный нечетный эффект Фойхта на свободных носителях в полупроводниках

Э. М. Эпштейн


Аннотация: Рассматривается распространение электромагнитной волны в изотропном полупроводнике поперек магнитного поля в присутствии интенсивной электромагнитной волны, электрический вектор которой лежит в плоскости, перпендикулярной к магнитному полю. Вследствие неравновесности системы эффективный тензор проводимости на частоте слабой волны, усредненный по периоду интенсивной волны, не удовлетворяет соотношениям Онзагера, в результате чего возникает эффект Фойхта, нечетный (линейный) по магнитному полю. Рассмотрены два механизма нелинейности: влияние интенсивной волны на вероятность рассеяния электронов и непараболичность зоны проводимости. Показано, что величина и знак эффекта зависят от механизма рассеяния электронов, а частотная зависимость различна для разных механизмов нелинейности.



© МИАН, 2024