Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии

Методами емкостной спектроскопии и фотоемкости исследованы энергетические уровни Тl, введенного в кремний. Обнаружено наличие глубокого (${E_{v}+0.235}$ эВ) и мелкого (${\lesssim0.08}$ эВ) акцепторных уровней в запрещенной зоне и исследовано их распределение в кристалле. Значения термической и оптической энергии ионизации совпадают между собой и не обнаруживают зависимости от электрического поля в слое объемного заряда. Сечение фотоионизации глубокого уровня составляет ${1.1\cdot10^{-16}\,\text{см}^{2}}$ в максимуме при ${h\nu=0.33}$ эВ, а сечение захвата дырок, полученное из скорости термической эмиссии, ${2\cdot10^{-13}\,\text{см}^{2}}$.