Поляризованная фотолюминесценция варизонного полупроводника с градиентом $g$-фактора электронов I. Теория

Решена задача о переносе спинов ориентированных электронов в варизонном полупроводнике $p$-типа, когда $g$-фактор электронов линейно зависит от координаты $x$. Показано, что при возбуждении на широкозонной поверхности полупроводника (${x=0}$) $x$-проекции вектора спиновой плотности $S$ зависимость $S_{x}(x)$, определяющая при наблюдении вдоль оси $x$ спектр поляризованной люминесценции варизонного полупроводника, в поперечном магнитном поле носит характер затухающих ангармонических колебаний.
Когда $g$-фактор электронов с координатой $x$ меняет знак (как, например, в системе GaAlAs), имеет место эффект спинового эха. Эффект заключается в том, что независимо от величины магнитного поля в окрестности точки, представляющей собой зеркальное отображение начала координат относительно точки, где ${g=0}$, возникает положительный всплеск $S_{x}(x)$. Эффект спинового эха проявляется в люминесценции как возгорание в переменном магнитном поле поляризованного излучения при энергии фотонов, соответствующей координате эха.