Краткие сообщения

Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции, обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs

К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович