RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 8, страницы 1391–1393 (Mi phts1342)

Электрофизические свойства термического окисла соединения тантал–алюминий в МДП структурах

С. Г. Асатрян


Аннотация: Рассмотрены электрофизические свойства кремниевых МДП структур с подзатворным диэлектриком из термического окисла соединения тантал–алюминий, полученного катодным распылением. Определены зарядовое состояние окисла соединения тантал–алюминий и граница раздела полупроводник–диэлектрик, а также их изменение при рентгеновском облучении МДП структур.



© МИАН, 2024