Субмиллиметровая фотопроводимость эпитаксиального InP, легированного редкоземельными элементами

В диапазоне длин волн 50$-$400 мкм при 4.2 K исследовано влияние легирования редкоземельными элементами (РЗЭ) слоев InP, полученных жидкофазной эпитаксией на подложках из полуизолирующего InP : Fe, на вид спектра фотопроводимости, обусловленной фотовозбуждением остаточных мелких донорных примесей. По изменению ширины линии перехода $1s{-}2p$, расположенной при ${\lambda=220}$ мкм, установлено, что введение РЗЭ в расплав приводит к уменьшению концентрации мелкой примеси в слоях InP. Одновременно возникает сильная компенсация донорного уровня, которая влияет на характеристики материала по крайней мере при 4.2 K.