Пьезосопротивление вырожденных кристаллов $n$-Si вдоль и поперек оси деформации

При двух взаимных ориентациях тока $j$ и механического напряжения $X$: ${J\parallel X\parallel [001]}$ и ${J\perp X\parallel[001]}$ измерено пьезосопротивление низкоомных кристаллов $n$-Si с концентрацией носителей тока ${3.6\cdot 10^{18}\div3.9\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$, легированных фосфором и мышьяком.
При механических напряжениях ${X>250}$ кг/см$^{2}$ и ${T=4.2}$ K наблюдается качественное подобие зависимостей $\rho^{\parallel}_{X}/\rho_{0}$ и $\rho^{\perp}_{X}/\rho_{0}$, что обусловлено определяющим вкладом рассеяния электронов на скоплениях примесных центров. Этим же механизмом рассеяния объясняется возрастание $\rho^{\parallel}_{X}/\rho_{0}$ с увеличением степени легирования $n$-Si до значений этого отношения, характерных для чистых кристаллов.