Зависимость люминесцентных свойств сильно легированных эпитаксиальных слоев GaSb$\langle$Cd$\rangle$ от условий получения

Исследовалась фотолюминесценция монокристаллических слоев $p$-GaSb$\langle$Cd$\rangle$, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов различного состава. Найдено, что при сравнимых значениях уровня легирования спектры фотолюминесценции существенным образом зависят от технологии выращивания эпитаксиальных слоев. Наблюдаемые закономерности объяснены зависимостью степени самокомпенсации примесных состояний от параметров технологического процесса.