Влияние разогревного концентрационного эффекта на характеристики осциллистора в Ge

При температуре 77 K в образцах $p$-Ge со слабо инжектирующими токовыми контактами обнаружена сильная ориентационная зависимость вольтамперных характеристик. Эта зависимость непосредственно связана с возникновением концентрационного эффекта в асимметрично вырезанных (по отношению к главным кристаллографическим осям) образцах при приложении к ним электрических полей, приводящих к заметному разогреву электронов и, следовательно, к анизотропии их подвижности.
Обнаружено влияние разогревного концентрационного эффекта на винтовую неустойчивость, возникающую в образцах, помещенных в продольные электрическое и магнитное поля, и показано, что это влияние в первом приближении аналогично влиянию магиптоконцентрационных эффектов.