Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs

Приведены результаты исследования собственной фотопроводимости в слабо легированных слоях InP и InGaAs, полученных методом жидкофазной эпитаксии на подложках полуизолирующего InP$\langle$Fe$\rangle$. Из изучения темновых ВАХ найдены электрические поля, при которых происходит насыщение дрейфовой скорости электронов в InP и InGaAs. Показано, что область спектральной чувствительности простирается от энергии квантов света, соответствующих $E_{g}$ до ультрафиолетовой области спектра. На основе указанных материалов были изготовлены планарные фотопроводники (ФП) с расстоянием между контактами ${d=5{-}20}$ мкм и изучены их быстродействие и усилительные свойства. Показано, что при ${d\leqslant5}$ мкм в полях ${\sim10^{4}}$ В/см усиление и быстродействие определяются временем пролета дырок. Получены ФП с усилением ${\sim10{-}20}$ и быстродействием ${\sim10^{-10}}$ с.
Изучено поведение ФП при воздействии коротких мощных импульсов света длительностью ${30\pm5 }$ пс.