Влияние сверхвысокого давления на электрические свойства окиси ртути

Проведены исследования влияния сверхвысокого давления до 35 ГПа, создаваемого в алмазной камере, на сопротивление $\rho$ и термоэдс $\alpha$ мало изученного полупроводника — HgO. Для исследований взят порошок желтой окиси ртути. Исходная структура HgO изоморфна гексагональной киновари $\alpha$-HgS. Обнаружены резкое уменьшение $\rho$ и $\alpha$, а также энергии активации проводимости в диапазоне давлений 0$-$10 ГПа и переход в состояние с металлической проводимостью при ${P> 10}$ ГПа. Измерения проведены в диапазоне температур 290$-$370 K.
Полученные данные сопоставляются с результатами аналогичных исследований, выполненных на халькогенидах ртути — HgTe, HgSe и HgS.