RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 8, страницы 1468–1472 (Mi phts1357)

Физические ограничения эффективности фотопреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного кремния

А. В. Саченко


Аннотация: Проведен теоретический анализ особенностей фотопреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного кремния, насыщенного водородом. Установлено, что основными физическими факторами, ограничивающими эффективность фотопреобразования, в данном случае являются диффузионный уход генерированных светом электронов в выпрямляющий контакт, а также малость диффузионной длины.
Получены аналитические выражения для зависимости полезной мощности фотопреобразования от основных параметров поверхностно-барьерных структур. Теоретически проанализирована зависимость полезной мощности фотопреобразования от типа используемых структур.



© МИАН, 2024