Расчет полупроводниковой структуры с квазиодномерным электронным газом

Проведен теоретический расчет МДП структуры с узким обогащенным каналом, ограниченным с боков полями $p{-}n$-переходов. Установлен критерий возникновения квазиодномерного электронного канала в этой системе. Вычислено пространственное распределение концентрации в канале при различных управляющих напряжениях. Проанализирована возможность наблюдения в канале эффектов размерного квантования.