Квантовая диффузия дефектов в возбужденных состояниях

Исследованы механизмы квантовой диффузии дефектов с участием их возбужденных электронных состояний. Показано, что псевдо-эффект Яна–Теллера в возбужденных состояниях с учетом билинейного по полярным и полносимметричным искажениям вибронного взаимодействия существенно увеличивает вероятность туннельно-контролируемого процесса квантовой диффузии по возбужденным состояниям. Кроме того, псевдо-эффект Яна–Теллера с участием основных и возбужденных состояний дефекта может приводить к качественно различному адиабатическому потенциалу в основном и возбужденном состояниях, в том числе и с инверсным расположением минимумов. Последнее приводит к возможности второго механизма квантовой диффузии дефектов с участием возбужденных состояний и позволяет также обосновать в этом случае реализацию нетуннельной диффузии дефектов. Рассмотренные механизмы квантовой диффузии могут играть существенную роль при рекомбинационно-стимулированных процессах в полупроводниках.