Магнитооптический эффект Фарадея в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ и твердых растворах на их основе

В области спектра вблизи прямого края собственного поглощения проведены измерения дисперсионных зависимостей магнитооптического вращения Фарадея $\theta(\hbar\omega)$ в GaAs, InP, GaP и в твердых растворах GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ и Ga$_{0.5}$In$_{0.5}$P. В GaP, GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ ${x>0.5}$ и Ga$_{0.5}$In$_{0.5}$P обнаружено не типичное для полупроводников A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ монотонное возрастание зависимости $\theta(\hbar\omega)$ в коротковолновой области спектра. Полученные здесь и опубликованные ранее данные по дисперсии для полупроводников А$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ обобщены в рамках простого модельного подхода, непротиворечиво объясняющего общие закономерности и основные особенности дисперсии магнитооптического вращения. Определены эффективные $g$-факторы ($g_{\text{эфф}}$) для особых точек зоны.