Дисперсионный перенос: протекание тока, контролируемого нестационарной инжекцией

Теоретически исследовано влияние инжекции носителей из контакта на переходные токи $I(t)$ в структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Показано, что характерным временем зависимостей $I(t)$ при дисперсионном переносе будет время запирания контакта $t_{c}$, которое зависит от температуры и напряженности «тянущего» электрического поля подобно эффективному времени пролета носителей. Это может привести к неправильной интерпретации экспериментальных данных, в результате чего определенная величина подвижности носителей будет завышена по сравнению с истинной. Однако $t_{c}$ зависит от стационарной концентрации основных носителей (уровня постоянной подсветки) и амплитуды нестационарного возмущения поля вблизи инжектирующего контакта. Именно по этим особенностям можно отличить проявления объемных свойств неупорядоченных полупроводников от контактных.