RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 9, страницы 1651–1656 (Mi phts1392)

Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs

М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев


Аннотация: Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs исследован вплоть до напряжений смещения, в несколько раз превышающих пороговое напряжение эффекта Ганна. Установлено, что относительная спектральная плотность флуктуаций тока $S_{I}I^{2}$ не зависит от смещения во всем диапазоне напряжений. Спектральная плотность флуктуаций напряжения $S_{V}V^{2}$ резко возрастает вблизи порога эффекта Ганна. Аналогичные результаты получены в поперечном магнитном поле ${B= 1.5}$ Т. Сделан вывод, что за шум $1/f$ ответственны флуктуации концентрации. Критически проанализированы результаты известной работы Т.  Кляйнпеннинга, в которой сделан противоположный вывод — об определяющем влиянии на шум $1/f$ флуктуаций подвижности.



© МИАН, 2024