Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных кристаллах

Проанализировано влияние условий получения сильно легированных полупроводниковых кристаллов $n$-типа на энергетическое положение и ширину гауссовской примесной зоны, в которой локализуются неравновесные дырки. Показано, что состояния примесной зоны обусловлены многочастичными ассоциатами, включающими атомы донорной примеси и глубокий дефект структуры. Гауссовское размытие этих состояний связывается со случайными флуктуациями в расстояниях между компонентами ассоциатов.