Захват носителей в квантовые ямы гетероструктур

Теоретически вычислена вероятность захвата свободного носителя при испускании оптического фонона в узкую (размерно-квантованную) яму, образованную тонким слоем узкозонного полупроводника между двумя широкозонными. Показано, что при малой энергии носителя зависимость этой величины от ширины ямы $a$ содержит ряд пиков, связанных с наличием при данных значениях $a$ квазистационарных уровней в яме с энергией, близкой к нулю, что, в свою очередь, вызывает резонансный рост вероятности прохождения носителя над ямой.