Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой

Изучены фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев (ЭС) антимонида галлия, полученного методом ЖФЭ из расплава, обогащенного сурьмой. Для нелегированных слоев антимонида галлия концентрация фона снижена до ${p=3\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ при 300 K.
В спектрах ФЛ ЭС GaSb, нелегированных и компенсированных теллуром, отсутствуют полосы излучения, соответствующие как мелкому уровню природного акцептора (нелегированные слои), так и комплексу, включающему глубокий уровень акцептора (слои, компенсированные Те). На основании анализа особенностей ФЛ свойств настоящих ЭС GaSb сделан вывод о существенном снижении концентрации двухзарядного природного акцептора в материале, получаемом данным методом.
В спектрах ФЛ изучаемых ЭС антимонида галлия, компенсированных теллуром, обнаружена полоса излучения ${h\nu_{\max}= 707}$ мэВ, отличающаяся по свойствам и по природе от обычно наблюдаемой широкой полосы излучения в компенсированном теллуром GaSb, получаемом обычными методами.
С ростом легирующей концентрации теллура вид ФЛ спектров ЭС GaSb изменяется, приближаясь к традиционно публикуемым результатам для GaSb : Те. Эти изменения обусловлены перераспределением интенсивностей между отдельными каналами рекомбинации и увеличением роли межзонных переходов, а также (при ${n\geqslant3\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) излучательных переходов из $L$-минимумов.