RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 80–89 (Mi phts14)

Особенности гальваномагнитных явлений и вымораживание на акцептор в магнитном поле в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при низких температурах

А. В. Германенко, Л. П. Зверев, В. В. Кружаев, Г. М. Миньков, О. Э. Рут

Уральский государственный университет им. А. М. Горького, г. Екатеринбург

Аннотация: Исследованы полевые и температурные зависимости постоянной Холла и проводимости в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x$Mn$_{x}$Te,} в котором при гелиевых температурах имеется электронный вклад в эффект Холла при ${H\to0}$. Показано, что при всех исследованных концентрациях примеси носителями заряда положительного знака являются дырки валентной зоны. При ${N_{A}-N_{D}<3\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ энергия ионизации акцепторной зоны увеличивается в больших магнитных полях, что приводит к «вымораживанию» дырок. При ${N_{A}-N_{D}>2.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ отдельной примесной зоны не существует, наличие электронного вклада в эффект Холла связано с компенсацией и «вымораживание» дырок в магнитном поле отсутствует.

Поступила в редакцию: 30.04.1985
Принята в печать: 11.07.1985



© МИАН, 2024