Аннотация:
Исследованы полевые и температурные зависимости постоянной Холла и проводимости в бесщелевом $p$-Hg$_{1-x$Mn$_{x}$Te,} в котором при гелиевых температурах имеется электронный вклад в эффект Холла при ${H\to0}$. Показано, что при всех исследованных концентрациях примеси носителями заряда положительного знака являются дырки валентной зоны.
При ${N_{A}-N_{D}<3\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ энергия ионизации акцепторной зоны увеличивается в больших магнитных полях, что приводит к «вымораживанию» дырок. При ${N_{A}-N_{D}>2.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ отдельной примесной зоны не существует, наличие электронного вклада в эффект Холла связано с компенсацией и «вымораживание» дырок в магнитном поле отсутствует.
Поступила в редакцию: 30.04.1985 Принята в печать: 11.07.1985