Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока

Приведены результаты исследования статических и динамических характеристик вертикальных полевых фототранзисторов на основе слабо легированного GaAs. В качестве затвора использовались $p^{+$-области,} расположенные в объеме структур. В зависимости от расстояния между соседними $p^{+$-областя}ми и их толщины наблюдались выходные характеристики как триодного, так и пентодного типа. Наличие вертикального канала обеспечивало высокую эффективность ввода света. Статический коэффициент усиления достигал значений ${\sim10^{4}}$ при мощности падающего излучения $\sim10^{-9}$ Вт. Эквивалентная шумовая мощность при отсутствии фоновой засветки составляла ${4\cdot10^{-13}\,\text{Вт/Гц}^{1/2}}$. При мощности падающего излучения ${P\sim10^{-3}}$ Вт времена нарастания и спада фототока были ${\sim10^{-9}}$ с. Рассмотрены механизмы усиления фототока. Показана перспективность использования ПФТ в качестве фотодетектора для ВОЛС.