Пьезосопротивление и эффект Холла сильно легированных кристаллов $n$-Si

На образцах $n$-Si, легированных примесями Sb, Р и As, в диапазоне механических напряжений ${0\leqslant X\leqslant 10^{1/2}\,\text{кг/см}^{2}}$ изучены пьезосопротивление и пьезо-холл-эффект при ${X\parallelJ\parallel[001]}$, ${H\parallel[110]}$ и ${T=4.2}$ K. Холловские измерения проводились также при 78 и 300 K.
Специфические особенности эффекта Холла в сильно легированных кристаллах $n$-Si объясняются наличием групп носителей тока, существенно различающихся между собой по подвижности с отношением концентраций, зависящим от механического напряжения.