Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных $n$-кремнии и $n$-германии. II

Теоретически рассчитано распределение электронов между долинами в кристаллах $n$-Ge и $n$-Si, упруго деформируемых (при 77 K) в произвольном направлении. Подробно исследованы для этих кристаллов симметричная и антисимметричная части тензора Нернста–Эттингсгаузена. Рассчитан угол отклонения поля Нернста–Эттингсгаузена от направления его привычной ориентации в зависимости от расположения вектора магнитного поля и теплового потока относительно осей кристаллов германия и кремния, упруго деформируемых (при 77 K) в определенных кристаллографических направлениях.