Температурные поля электронов и фононов в полупроводниках конечных размеров

Найдены температурные распределения электронов и фононов в полупроводнике в форме параллелепипеда при произвольном профиле температуры термостата на боковых стенках в случае, когда на торцах образца скорости поверхностной релаксации энергии электронов и фононов совпадают. Получены критерии, при выполнении которых имеют место изотермические или адиабатические тепловые граничные условия.