Жидкие и стеклообразные полупроводники на основе халькогенидов меди и серебра

На основе сопоставления энергии активации термической генерации носителей заряда в расплавах ($\Delta E_{\text{ж}}$) и величины квазизазора запрещенных значений энергии в соответствующих полупроводниковых стеклах ($\Delta E_{\text{ст}}$) в системах Ag$_{2}$B$^{\text{VI}}{-}$Cu$_{2}$B$^{\text{VI}}$ и Ag$_{2}$B$^{\text{VI}}{-}$Ag$_{2}$B$^{\text{VI}}$ (где B$^{\text{VI}}$— S, Se, Те) рассмотрена взаимосвязь жидкого и стеклообразного состояний. Величины $\Delta E_{\text{ж}}$ и $\Delta E_{\text{ст}}$ оценены из экспериментальных данных по температурной зависимости эффекта Холла и электропроводности. Переход рассматриваемых веществ в стеклообразное состояние осуществлен путем сверхбыстрого охлаждения расплавов (${v_{\text{охл}}\sim10^{8}}$ K/с). Отмечен факт практического совпадения величин $\Delta E_{\text{ж}}$ и $\Delta E_{\text{ст}}$, на основании чего сделан вывод о непосредственной генетической связи физической природы жидких полупроводников со структурой и свойствами формирующихся из них полупроводниковых стекол.