Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом

Исследованы электрофизические свойства изолирующих гетерослоев Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As в структурах металл–изолятор–полупроводник (МИП) и полупроводник–изолятор–полупроводник (ПИП), полученных МОС гидридным методом. Показано, что в МИП структурах проводимость определяется приповерхностной частью изолирующего слоя — диэлектриком с показателем преломления 1.5$-$2.0, толщиной 300Å и в области температур 170$-$300 K описывается эмиссией электронов с ловушек диэлектрического слоя 0.60$-$0.65 эВ по механизму Френкеля–Пула. После пробоя диэлектрического слоя проводимость МИП структур определяется объемом изолирующего слоя и удовлетворительно описывается моттовской прыжковой проводимостью с полевой зависимостью, определяемой формулой Шкловского. Исследования ПИП структур подтверждают прыжковый характер проводимости объема изолирующего слоя.
Участку ВАХ с прыжковым режимом переноса предшествует участок резкого роста тока из-за предельного заполнения ловушек (ПЗЛ) в режиме токов, ограниченных объемным зарядом (ТООЗ). Результаты температурных исследований ВАХ, ВФХ, ТРК и релаксации емкости в режиме нестационарного обеднения позволили определить параметры ловушек изолирующего и диэлектрического слоев.
Полученные результаты объясняются единым образом в предположении модуляции состава твердого раствора в процессе роста, следствием которой является образование сплавных кластеров.