RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 10, страницы 1898–1899 (Mi phts1458)

Краткие сообщения

Механизмы пьезосопротивления в сильно легированных кристаллах $n$-Ge при 4.2 K

П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко




© МИАН, 2024