Зависимость наведенного тока от температуры и локальная спектроскопия примесных уровней методами растровой электронной микроскопии

Исследована зависимость наведенного тока и наведенного потенциала в кремниевых $p{-}n$-структурах в интервале температур 4.5$-$450 K с помощью растрового электронного микроскопа. Обнаружено резкое падение тока и потенциала при ${T<30}$ K, а при увеличении $T$ от 5 K вблизи 25$-$30 K наблюдается максимум тока или потенциала. Аналогичные, но менее резкие особенности наблюдались и при более высоких $T$ (порядка 120$-$200 K). Явления объясняются моделью, аналогичной моделям термостимулированных токов захвата и выброса носителей с примесных уровней или термодеполяризации. Из температурных зависимостей наведенного тока и потенциала можно определить энергию ионизации примесных центров. Использование РЭМ позволяет, таким образом, проводить исследование спектров примесных уровней с локальным пространственным разрешением порядка 1 мкм.