Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов GaSe, облученных $\gamma$-квантами

Исследованы фотолюминесценция и ее температурная зависимость для монокристаллов GaSe до и после $\gamma$-облучения (${10^{6}\div10^{8}}$ Р). Показано, что самая низкоэнергичная полоса с энергией ${\sim0.9}$ эВ в спектрах соответствует переходам между двумя локализованными состояниями: полоса с энергией 1.23 эВ — переходу между глубоким донорным уровнем и валентной зоной, а самая высокоэнергичная полоса (2.04 эВ) — переходу мелкий акцептор–зона проводимости. Наблюдалась фотолюминесценция в диодных структурах на основе $p$-GaSe; линии в спектрах фотолюминесценции диодных структур были близки к соответствующим линиям в спектрах нелегированных образцов GaSe.
Показано, что облучение малыми дозами (до $10^{6}$ Р) $\gamma$-квантов приводит к повышению вероятности излучательной рекомбинации с участием центров, являющихся собственными дефектами структуры GaSe, которые могут существовать и в необлученных кристаллах. Большие дозы облучения (10$^{8}$ Р) могут приводить и к образованию сложных комплексов — центров безызлучательной рекомбинации. Различие в поведении разных образцов отражает конкуренцию этих процессов. Предполагалось, что низкоэнергичная полоса в спектрах люминесценции обусловлена вакансиями селена. С помощью такой модели хорошо объясняются наблюдаемые эффекты.