О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах InP

Изучена связь полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в InP с присутствием примеси марганца. Показано, что сдвиг положения этой полосы с изменением состава твердого раствора In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$ соответствует изменению термической энергии ионизации уровней марганца в соответствующем материале. Изучены диффузионные свойства центра, ответственного за полосу 1.14 эВ, и установлено, что энергия активации диффузии близка к той, которую можно ожидать для примеси марганца в InP. Вся совокупность полученных экспериментальных данных позволяет предположить, что именно с этой примесью связана исследованная в работе полоса фотолюминесценции 1.14 эВ.