Теория инжекции носителей в гетеро-$p{-}n$-структуре

Построена теория инжекции в гетероструктуре с немонотонным ходом края одной из зон, когда в потенциальном рельефе этой зоны возникает «пичок». Показано, что приближение постоянного квазиуровня Ферми несправедливо в том случае, когда пичок лимитирует инжекцию носителей. Теория иллюстрируется расчетом свойств широкозонного эмиттера $n$-тппа в системе GaAs$-$AlGaAs. Оказывается, что резкий гетеропереход почти не сохраняет своих преимуществ широкозонного эмиттера при заметной асимметрии легирования.