Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области объемного заряда Au$-$ZnS-диодов

Описана электролюминесценция диодов, полученных вакуумным напылением золота на сколотую поверхность монокристаллов сульфида цинка с удельным сопротивлением ${1\div10\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$. Электрические свойства диодов (зависимости прямого тока от напряжения и их температурные изменения, сопоставление надбарьерного термоэлектрического тока с расчетным, емкостные измерения) указывают на возможность пренебрежения влиянием диэлектрического зазора между металлом и полупроводником. При низких прямых смещениях начиная с ${V=1.4\div1.6}$ В на зависимостях интенсивности свечения $B$ от $V$ обнаружены участки, следующие выражению ${B=B_{02}\exp (eV/2kT)}$ и сменяющиеся при больших $V$ зависимостями ${B=B_{01}\exp(eV/kT)}$. Наблюдаемое голубое излучение трактуется как результат рекомбинации в области пространственного заряда (ОПЗ), однако низкие $V$ (при которых регистрируется излучение), а также изменения $B_{01}$ и $B_{02}$ с температурой не укладываются в рамки модели рекомбинации в ОПЗ через единичные примесные уровни. Противоречия снимаются, если допустить модель рекомбинации в ОПЗ через донорно-акцепторные пары с акцепторным уровнем, отстоящим от потолка валентной зоны на ${0.6\div0.7}$ эВ, на который дырки попадают из металла туннельным путем. Теоретическое рассмотрение статистики рекомбинации для принятой схемы электронных переходов приводит к выражениям, удовлетворительно описывающим экспериментальные результаты.