Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс, “Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 11,страницы 2004

Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости

Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс

Аннотация: Проведено исследование поглощения СВЧ излучения в жидкофазных гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP при комнатной температуре. Исследованные гетероструктуры тестировались на наличие двумерной проводимости на гетерогранице с помощью анализа анизотропии низкотемпературного магнитосопротивления.
Обнаружена корреляция свойств гетероструктур. В структуре с квазидвумерным электронным газом поглощение СВЧ мощности непрерывно возрастает с увеличением падающей мощности, в то время как в структуре с трехмерной проводимостью соответствующая зависимость насыщается.