Природа и параметры примесно-дефектных скоплений в нейтронно-легированном кремнии

Исследовались изменения концентрации $n$ и холловской подвижности $\mu_{H}$ носителей заряда при облучении гамма-квантами $^{60}$Со нейтронно-легированного кремния (НЛК). Обнаружена немонотонная (с явно выраженным минимумом) зависимость $\mu_{H}$ от потока гамма-квантов, аномальный характер которой обусловлен, как предполагается, изменением доли относительного объема, занимаемого сформированными при термообработке после трансмутационного легирования примесно-дефектными скоплениями (ПДС), за счет возрастания (вплоть до перекрытия) ширины их внешнего слоя пространственного заряда из-за компенсации НЛК гамма-квантами. Оценены размеры ${l_{0}=2.6\cdot10^{-4}}$ см, концентрация ${N_{\text{к}}=1.4\cdot10^{9}\,\text{см}^{-3}}$ ПДС в исследованном материале и сделано заключение, что в их состав входят электрически активные комплексы С$_{J}{-}$С$_{S}$ (междоузельный-узловой углерод) междоузельного типа.