Магнитополевая зависимость эффективных масс дырок в магнитосмешанных полупроводниках с кубической решеткой

В приближении эффективной массы решена задача о законе дисперсии носителей в спиновых подзонах, образованных в результате гигантского спинового расщепления $\Gamma_{8}$-состояний в магнитосмешанных полупроводниках. Получена зависимость тензора обратной эффективной массы от направления внешнего магнитного поля. В качестве приложения рассмотрены магнитополевые зависимости циклотронной эффективной массы и эффективной массы плотности состояний. Приведены результаты численного расчета угловых зависимостей эффективных масс с использованием зонных параметров полупроводника ZnTe.