Легирование полупроводников с помощью фотоядерных реакций

Рассматриваются основные закономерности формирования примесного состава в различных полупроводниках при их облучении гамма-квантами с энергиями ${15\div30}$ МэВ. В качестве источника интенсивных потоков гамма-квантов высоких энергий предлагается использовать ускорители электронов на энергии ${\approx40}$ МэВ. Приводятся результаты расчетов эффективности образования примесных атомов под действием тормозного излучения в кремнии, германии и некоторых соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$. Анализ расчетов показывает, что дырочная проводимость преобладает лишь в моноатомных полупроводниках. В соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ соотношение количества атомов примесей донорного и акцепторного типов таково, что ядерное легирование этих полупроводников с помощью фотоядерных реакций будет приводить к получению либо компенсированных материалов (GaSb и InAs), либо материалов $n$-типа проводимости (GaAs и InSb).