Фотопроводимость в Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Te(In) с изовалентными примесями замещения

Исследованы гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства твердых растворов Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Te(In) с изовалентными примесями замещения в катионной (Ge) или анионной (S, Se) подрешетке в температурном интервале 4.2$-$300 K при подсветке тепловым источником излучения.
Обнаружено, что небольшие (до ${\sim1}$ ат%) добавки Ge приводят к увеличению максимально достижимой в условиях эксперимента концентрации неравновесных электронов и росту их подвижности. Замещение в подрешетке халькогена (до ${\sim8}$ ат%) существенно изменяет термическую энергию активации примесной проводимости $\varepsilon_{A}$ и понижает величину фотоотклика.
Установлено, что на температуру $T_{c}$, характеризующую появление задержанной фотопроводимости (ФП), введение Ge, S и Se не влияет.