О роли дислокаций в формировании свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs

Исследовано влияние «высокотемпературных» и «низкотемпературных» ростовых, а также введенных деформацией образцов дислокаций на однородность распределения электрофизических параметров (фотоэлектрохимического тока, удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей) в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия. Показано, что неоднородность свойств формируют только дислокации, образовавшиеся при температурах, достаточно близких к температуре плавления. Проанализированы причины возникновения неоднородности, коррелирующей с распределением дислокаций, и сделан вывод об определяющей роли взаимодействия дислокаций с неравновесными собственными точечными дефектами.