Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ I. Теория

Обсуждаются оже-процессы с участием примесных комплексов в полупроводниках с разноэнергетическими долинами $c$-зоны. Рассмотрены модели процессов, протекающих с участием электронов высоко расположенных долин и локальных состояний, сформированных $\psi$-функциями этих долин. Проведен анализ результатов теоретического расчета вероятностей таких процессов. Показано, что последние характеризуются рядом особенностей, общих, для всех оже-процессов, с участием примесных комплексов, благодаря которым можно выделить рассматриваемые процессы среди других рекомбинационных механизмов.