Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ II. Сопоставление теории с экспериментом

Приведены оценки вероятности оже-процесса на комплексах связанных зарядов в полупроводниках с зонной структурой типа GaAs, InP. Показано, что такие процессы могут характеризоваться большими сечениями (до $10^{-12}\,\text{см}^{2}$) и влиять не только на значение времен жизни носителей заряда, но и на другие кинетические параметры материала. Выполнен анализ результатов экспериментального изучения ионизационных процессов в GaAs$\langle\text{Gr}\rangle$ и InP$\langle\text{Fe}\rangle$.
Показано, что ионизация ловушек глубиной 0.2$-$0.3 эВ происходит по оже-механизму с участием электронов высоко расположенных долин $c$-зоны.