Аннотация:
Впервые в рамках единого эксперимента исследован
эффект Холла арсенидов галлия и индия как в твердом, так и в жидком
состоянии. В результате экспериментально определено изменение постоянной
Холла при плавлении этих соединений и на основе полученных данных с
привлечением хорошо известных значений скачков электропроводности оценены
изменения концентрации носителей заряда и их подвижности. Наблюдаемые различия
в скачках указанных характеристик при плавлении соединения GaAs, с одной
стороны, и InAs — с другой, объясняются спецификой поведения последнего
в твердой фазе вблизи температуры плавления. Данные по эффекту Холла
в расплавах GaAs и InAs получены нами впервые. Рассчитанные на основе
холловских измерений в твердой фазе величины термической ширины запрещенной
зоны соединений А$^{\text{III}}$As хорошо согласуются
с результатами оценок на основе данных по электропроводности.