RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 12, страницы 2149–2153 (Mi phts1518)

Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)

И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов


Аннотация: Из спектров фотолюминесценции (ФЛ) и электролюминесценции определена зависимость ширины запрещенной зоны $E_{g}$ от состава $x$ твердого раствора PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$) при 10 и 78 K. Зависимость $E_{g}(x)$ при обеих температурах отклоняется от линейной не более чем на 3$-$4 мэВ. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами, предсказываемыми теорией сильной связи на $p$-орбиталях. При высоких уровнях возбуждения (${J\gtrsim2\cdot10^{6}\,\text{В/см}^{2}}$) излучением АИГ лазера (${h\nu=1.17}$ эВ, ${\tau_{\text{имп}}=10}$ нс) в спектрах ФЛ появляются дополнительные линии 0.30 и 0.17 эВ. Эти линии обусловлены ФЛ фаз бинарных компонентов, образующихся в результате распыления твердого раствора.



© МИАН, 2024