Рекомбинация через глубокие уровни в гетеро-$p{-}n$-переходах

Рассчитана вольтамперная характеристика гетеро-$p{-}n$-перехода, обусловленная рекомбинацией неравновесных носителей в области пространственного заряда. Показано, что она, так же как и в случае гомоперехода, определяется узкой окрестностью точки, где концентрация электронов примерно равна концентрации дырок. Однако для гетеропереходов оказывается типичным случай, когда рекомбинационная точка попадает в область с переменной шириной запрещенной зоны. При увеличении прямого смещения рекомбинационная точка передвигается к технологической границе, где уменьшается ширина запрещенной зоны. По этой причине показатель неидеальности вольтамперной характеристики оказывается в интервале между единицей и двойкой. Величина же рекомбинационного тока оказывается меньше, чем в гомопереходе на основе узкозонного материала.