RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 641–644 (Mi phts152)

О механизме влияния типа и концентрации примесей на кинетику отжига в облученном германии

А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: На основании температурного сдвига стадий отжига радиационных дефектов в германии в зависимости от концентрации и вида донорной примеси предполагается связь этих стадий с термическими переходами электронов, связанных с дефектами, в зону проводимости. Предлагается объяснение некоторых эффектов в закономерностях отжига для образцов, конвертированных в процессе облучения из $n$-типа в $p$-тип.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 23.04.1985
Принята в печать: 16.10.1985



© МИАН, 2024