Ударная ионизация экситонов и мелких примесей в арсениде галлия в скрещенных электрическом и магнитном полях

В скрещенных электрическом (E) и магнитном (H) полях исследована ударная ионизация экситонов и мелких примесей в арсениде галлия и ее влияние на люминесценцию. Обнаружено, что пробой в этих условиях носит сложный многостадийный характер. На первом этапе изменения напряжения, приложенного к образцу ($U$), наблюдается образование проводящего канала, пространственное положение которого определяется распределением электрического поля в образце. Вторая стадия ударной ионизации связывается с изменением первоначального распределения поля E в образце в условиях ${E\perpH}$, обусловленного образованием в кристалле областей с различными концентрациями носителей заряда — возникновением градиентов проводимости. И, наконец, на третьем этапе изменения $U$ обнаружено явление гистерезиса в зависимости интенсивности люминесценции $I_{\text{л}}$ от $U$. Природа неоднозначной зависимости ${I_{\text{л}}=f(U)}$ связывается с установлением однородного пространственного распределения носителей заряда — полной ионизации экситонов и примесей в образце.