Биполярный дрейф и термодрейф в полупроводниковых образцах с одним теплоизолирующим контактом. Случай констант дрейфа одного знака

Теоретически исследовано распределение концентрации носителей и потока тепла вдоль образца при различных граничных условиях для концентрации на контактах (омические контакты, хорошо инжектирующие контакты) и условии теплоизолированности на одном из контактов при произвольном граничном условии для температуры на другом. При тыловом теплоизолирующем контакте ВАХ может иметь $N$-образный участок, на спаде которого образуется домен сильного поля, а также возможна ВАХ с $S$-образным участком при других значениях параметров образца. В случае переднего теплоизолирующего контакта ВАХ имеет $S$-образный участок с последующей тенденцией к переходу к насыщению напряжения.