RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 43–48 (Mi phts1549)

Ударная рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы в полупроводниках $p$-типа

М. В. Стриха, И. Н. Яссиевич

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Рассчитана скорость ударной рекомбинации электронов через акцепторы в полупроводниках со структурой цинковой обманки. Рассмотрение проведено для случая рекомбинации электрона через глубокие или мелкие акцепторы симметрии.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.04.1983
Принята в печать: 19.04.1983



© МИАН, 2024