Высокочастотные когерентные автоколебания в полупроводниках при поперечном пробое

Построена нелинейная теория автоколебаний в скрещенных электрическом и магнитном полях. Исследованы условия генерации когерентных (одночастотных) автоколебаний в зависимости от напряженности магнитного поля, поперечного размера образца и скорости поверхностной рекомбинации. Предложена доменная модель когерентных автоколебаний, возникающих при поперечном пробое и сильном магнитоконцентрационном эффекте. Численные расчеты проведены для $n$-InSb (${T=77}$ K). Когерентные автоколебания возбуждаются на частотах ${\sim10^{10}}$ Гц.